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第三代半導體器件制備發(fā)展迅速 行業(yè)競爭日趨升級

[2018/9/4]

  我國是全球第二大經(jīng)濟體，經(jīng)濟發(fā)展已經(jīng)邁上高質(zhì)量發(fā)展階段。提高關(guān)鍵核心技術(shù)創(chuàng)新能力，關(guān)乎經(jīng)濟高質(zhì)量發(fā)展和國家民族未來。中興事件的興起，中美貿(mào)易事件的發(fā)酵，反面折射出了半導體等核心零部件技術(shù)的薄弱，一時引起了社會尤其中國科技界的深思。
 
  要想擺脫“卡脖子”的殘酷命運，我國高端核心技術(shù)的發(fā)展還需要更多自主創(chuàng)新。材料強國是科技強國的基礎(chǔ)，第三代半導體材料扮演著愈發(fā)關(guān)鍵的角色，也正日益成為國際、國內(nèi)科技和產(chǎn)業(yè)競爭的核心領(lǐng)域之一。
 
  基于高擊穿電場、高熱導率、高電子飽和速率及抗強輻射能力等優(yōu)異性能，第三代半導體材料更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率電子器件。在移動通訊、能源互聯(lián)網(wǎng)、新能源汽車、軌道交通、以至國防軍備等產(chǎn)業(yè)，日逐成為美、歐、日各國競相布局的重要領(lǐng)域。
 
  目前，我國第三代半導體已列入2030年國家新材料重大項目七大方向之一，正處于研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的關(guān)鍵期。打破壟斷、提高國產(chǎn)化率生產(chǎn)，力爭實現(xiàn)半導體設(shè)備自主可控。為此，《“十三五”材料領(lǐng)域科技創(chuàng)新專項規(guī)劃》、《半導體照明節(jié)能產(chǎn)業(yè)發(fā)展意見》、《半導體照明節(jié)能產(chǎn)業(yè)規(guī)劃》、《半導體管特性圖示儀校準儀校準規(guī)范》、《半導體照明設(shè)備和系統(tǒng)的光輻射安全測試方法》等國家政策、方法標準密集發(fā)布，在促進半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展方面成效顯著。
 
  近日，863計劃“第三代半導體器件制備及評價技術(shù)”項目通過驗收。項目開發(fā)出基于新型基板的第三代半導體器件封裝技術(shù)；開展第三代半導體封裝和系統(tǒng)可靠性研究，形成相關(guān)標準或技術(shù)規(guī)范；制備出高性能SiC基GaN器件。通過項目的實施，我國在第三代半導體關(guān)鍵的SiC和GaN材料、功率器件、高性能封裝以及可見光通訊等領(lǐng)域取得突破，自主發(fā)展出相關(guān)材料與器件的關(guān)鍵技術(shù)，有助于支撐我國在節(jié)能減排、現(xiàn)代信息工程、現(xiàn)代國防建設(shè)上的重大需求。
 
  第三代半導體創(chuàng)新發(fā)展時機成熟，有望實現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈，進入世界先進行列。除了政策支持，我國也成立了集成電路產(chǎn)業(yè)基金，“大基金”的投資項目覆蓋了集成電路的制造、設(shè)計、材料設(shè)備、封裝測試等環(huán)節(jié)，大力投資必會帶動國內(nèi)半導體設(shè)備行業(yè)的快速發(fā)展。
 
  另一方面，我國精密加工技術(shù)和配套能力進步迅速，已經(jīng)具備開發(fā)并且逐步主導第三代半導體裝備的能力。全國多地積極響應，促進地方產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級。近日，蕪湖市印發(fā)了《蕪湖市加快微電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策規(guī)定(試行)》的通知。該微電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策針對第三代半導體企業(yè)購買IP、參與研發(fā)多項目晶圓等做出了詳細的扶持說明。深圳正實施新一輪創(chuàng)新發(fā)展戰(zhàn)略布局，機器人、無人駕駛、等新興產(chǎn)業(yè)日新月異，坪山區(qū)將依托5G試點，建設(shè)第三代半導體產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)。
 
  盡管發(fā)展形勢一片良好。但第三代半導體產(chǎn)業(yè)核心材料、器件原始創(chuàng)新能力薄弱；體制機制不夠完善；缺乏公共研發(fā)、服務(wù)及產(chǎn)業(yè)化的平臺。對半導體企業(yè)而言，應發(fā)揮區(qū)域優(yōu)勢，差異化布局，避免重復投入和惡性競爭。圍繞第三代半導體光電材料、裝備、器件及創(chuàng)新應用，實現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)集群式、高質(zhì)量發(fā)展。